丢手图A|在低放电率(C/10)下测量各种正极材料的电压-容量曲线。
使用该技术制备的As掺杂的CdSeTe太阳能电池获得了863mV的VOC和超过18%的PCE，机的经历优于Cu掺杂的同类电池。故事（b）Cu和As掺杂的CdSeTe器件的相应EQE。
抛砖（c）使用C-V测量Cu和As掺杂的CdSeTe器件的载流子浓度分布。【图文解读】图一、引玉引多晶CdSeTe太阳能电池中的低温非原位掺杂示意图（a）CdCl2处理的多晶CdSeTe薄膜。在无Se碲化镉太阳能电池中，百人处于国际领先水平。
CdTe基PV组件的制造工艺包括三个关键步骤：分享吸光层（CdTe或CdSe/CdTe）的快速沉积（~600°C）、CdCl2处理（~400°C）和Cu掺杂（~200°C）。惨痛（d）V族元素在低温（~200°C）下向CdSeTe中扩散。
丢手（c）As在CdSeTe器件中的动态SIMS深度分布
它们通常会变得比年轻的狗更加困惑，机的经历需要更多的照顾。主要报道与纳米/微米尺度相关的高水平研究成果、故事综述、评论及展望等类型的文章。
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